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threecode.top常用资料位置只在本地笔记维护，这里先留入口位。
本地打开上线记录、备份记录和配置变更后续放到本地清单。
待接入温度曲线、锡膏用量、焊后检查和热电偶标定。
实验页网站打开后先看到这里。常用入口、今天要做的事、研究主题和记录格式放在同一页。 详细文献、项目主线、仿真记录和周报从上面的研究页面进入。
激射前提是 CQD 中的平均激子占据数达到目标阈值。脉冲越短，激子越接近“先积累、后复合”； 脉冲逐渐变长后，泵浦不仅要建立激子布居，还要同步补偿辐射、非辐射和 Auger 复合造成的损失。 因此，短脉冲主要由单脉冲总能量决定，长脉冲则主要由激子产生速率能否追上损失速率决定。
d⟨N⟩/dt = σabsPλp/(hc) − ⟨N⟩/τeff
Pth = ⟨N⟩thhc / [λpσabsτeff(1 − e−τp/τeff)]
Fth = Pthτp
泵浦结束前复合损失很小，达到同一占据数所需的 Fth 近似不变；同样能量分摊到更长时间后，Pth 近似按 1/τp 下降。
脉冲前段产生的激子开始在泵浦期间损失，Fth 随脉宽增加；Pth 仍下降，但下降速度逐渐减慢。
激子布居接近准稳态，Pth 趋近连续波极限 PCW；继续延长脉冲主要增加总能量，因此 Fth 近似正比于 τp。
τeff−1 = τrad−1 + τnr−1 + τAuger−1。 当前估算采用 τeff=2 ns、λp=450 nm、σabs=1×10−14 cm²/QD、 ⟨N⟩th=0.676。模型只描述材料中的激子产生与复合，尚未计入 CBR 腔反馈、腔损耗和泵浦热效应。
历史 637 nm、主扫描、独立复跑和带监视器复跑分开记录，不把不同配置写成直接提升。
环境温度 21 °C；电输入功率与热功率分列。LED 只记录约 460.3 nm 的可信蓝光主峰。
QLED 常见发光层约 20–45 nm，也有约 100 nm 案例；文献范围不能当作当前器件厚度。
当前研究状态更新至 2026-08-14；7 月组会内容作为历史记录保留，不覆盖后续精修结果。
补入短脉冲、过渡区和长脉冲下激子积累与复合损耗的核心机理，并与 Pth、Fth 的解析式对应。
三张实验原图已归档；焊料层偏厚，下一轮重点是减少锡膏并用热电偶标定真实曲线。
GaN LED 负责电能到蓝光，DBR-CQD-CBR 负责吸收、增益、反馈与面发射。
峰位 823.7388 nm、Fp 105.2098；R/P 控制峰位，W 的波长容差更大。
实验与 COMSOL 的 MAE 约 0.86 °C；不能外推到瞬态和高占空比。
测脉宽-峰值功率、高电流光谱和温度，完成需求与供给的同口径比较。
继续使用静态 HTML；上线前备份，页面只放研究内容和普通网页链接。
static site
主入口统一到 https://wanxuhui.top/，robots、sitemap 和分享图作为基础站点文件维护。
wanxuhui.top
只在本地使用的链接不放到网页正文里，需要时从本地笔记打开。
local only
内存、硬盘和服务状态在终端检查，不放到首页做实时数字。
local check
供给侧依次核算 LED 输出、朗伯几何耦合、界面传输和 DBR 蓝光透射；需求侧用 CQD 激子产生与复合模型估算长脉冲阈值功率密度。当前仍需用更短脉宽下的 LED 实测结果完成这张功率预算。
新 632 nm DBR-CQD-CBR 是当前器件分支；历史 637 nm 银反射镜结构和 630 nm TFB-CBR 继续独立归档。
它和红光 CQD 共享 CBR/DBR/FDTD/热管理方法，但材料稳定性、传输层损耗和电注入瓶颈不同，页面上分开记录，避免把两个体系的结论混用。
当前路线包含 GaN LED/PeLED 泵浦、DBR 替代底部 Ag、透明电极/传输层损耗、纳米压印或电极窗口等工艺选择。COMSOL 结果要和 FDTD 参数一起归档。
能借鉴：CQD 电驱 ASE 的电注入、阈值和器件证据写法。
不能外推：ASE 不等于腔激光，仍缺腔反馈和 lasing 证据。
下一步：核验泵浦/驱动条件、J-V-L、热和谱线变窄定义。
能借鉴：CBR 腔设计、阵列一致性和面发射腔模证据。
不能外推：光泵 cavity lasing 不能直接证明电驱可行。
下一步：对照 R/P/W/H、远场、偏振和 no-cavity control。
能借鉴：面发射、电泵链路和 CQD 器件热约束。
不能外推：电泵 ASE 仍不是电驱动腔激光终点。
下一步：核阈值单位、脉宽、重复频率、光斑和吸收校正。
能借鉴：DBR、增益集成和 VCSEL 型结构折中。
不能外推：结构参考不自动解决电极损耗和泵浦透过。
下一步：比较 Ag、DBR、透明电极三种底部方案。
能借鉴：主线 B 的 dual-cavity、电注入和 lasing 判断标准。
不能外推：FAPbI3/FBI 的材料稳定性和传输层损耗要重新算。
下一步：抽取腔结构、阈值、热稳定和对照实验清单。
能借鉴：CW 工作、热稳定和强耦合/极化激元证据边界。
不能外推：polariton laser 不等同普通 photon lasing。
下一步：区分相干、阈值、温升和模式证据的适用范围。
红光 CBR FDTD
已确认：新 632 nm DBR-CQD-CBR 峰值 Purcell 因子为 50.0；历史 637 nm 与 630 nm TFB 分支独立保留。
待核验：报告表格与正文中的模场限制因子口径尚不一致，需回到原始后处理结果确认。
FAPbI3 / FBI 优化
已确认：824 nm 精修峰位为 823.7388 nm，峰值 Purcell 因子为 105.2098。
容差分析显示 R、P 主要调节峰位，W 对峰位更宽容并主要影响反馈强度。
COMSOL 热与远场
已确认：四个稳态热功率点的仿真与实测 MAE 为 0.86 °C，最大绝对误差为 1.56 °C。
不能外推：该拟合尚未覆盖瞬态脉冲、高占空比和更广散热边界。
GaN LED 泵浦测试
已确认：10 A、1 ms 条件下辐射通量为 9.7–13 W，发光面积为 1.55 mm × 1.20 mm。
待测试：脉宽—峰值功率密度关系，以及高电流光谱与温度变化的同步记录。